Resumo
X-ray diffraction gives information on the composition and lattice strain of III-V and II-VI ternary and quaternary heteroepitaxial semiconductor layers used in the fabrication of optoeletronic devices. In this article we give a brief introduction to the materials used in technology of III-V optoeletronics, and how X-ray diffraction can provide vital information to researchers involved in the growth and development of these emiconductors materials.
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