Resumo
Utilizando uma Teoria Cinética Quântica Não Linear, obtida a partir de uma formulação mecânico-estatística, o Método do Operador Estatástico de Não Equilíbrio na forma de Zubarev, obtêm-se as equaçõees que governam a evolução do estado de não equilíbrio de um semicondutor polar intrínseco de gap direto altamente fotoexcitado (plasma fotoinjetado) submetido a um campo elétrico constante. Particularmente, o semicondutor analisado foi o Nitreto de Gálio na forma zincblende. São obtidas as equações de evolução temporal para: o momento dos portadores, para a energia dos portadores, a energia dos fônons ópticos longitudinais e transversais.
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