Palavras-chave
Física
Nano oxidação
Como Citar
Resumo
Neste trabalho, foram crescidos filmes finos de óxido de silício sobre superfícies contendo formas retangulares periódicas com 100 nm de altura, obtidas a partir de corrosões por plasma localizadas. Os óxidos de silício (SiO2) com cerca de 4,5 nm de espessura foram crescidos em ambientes ultrapuros de oxigênio (O2) ou pirogênico (O2 + H2) a fim de comparar a uniformidade planar e o amoldamento de cobertura sobre as bordas dos degraus verticais presentes nos perfis espaciais retangulares. O grau de amoldamento foi obtido indiretamente a partir de medidas elétricas em capacitores fabricados sobre as superfícies irregulares recobertas com óxido de silício crescido termicamente. Foi mostrado que a oxidação pirogênica ou convencional na temperatura de 850 oC permite obter óxidos de porta sobre degraus com altura de 100nm com alto campo de ruptura da rigidez dielétrica. Esse comportamento pode ser interpretado como óxidos de porta com boa uniformidade planar e bom amoldamento nas bordas dos degraus. O impacto deste resultado é agora a possibilidade de implementar óxidos de porta para transistores de porta envolvente (FinFETs).
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