Produção de filmes de ZnO por ALD (atomic layer deposition)
n. 26 (2018), Resumos
n. 26 (2018)

Produção de filmes de ZnO por ALD (atomic layer deposition)

Resumos
https://doi.org/10.20396/revpibic2620181318
Publicado 2019-02-18
Thiago Francisco Clementino de Oliveira
Universidade Estadual de Campinas
Francisco das Chagas Marques
Universidade Estadual de Campinas
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Palavras-chave

Deposição
Filmes finos
Semicondutores.

Como Citar

OLIVEIRA, Thiago Francisco Clementino de; MARQUES, Francisco das Chagas. Produção de filmes de ZnO por ALD (atomic layer deposition). Revista dos Trabalhos de Iniciação Científica da UNICAMP, Campinas, SP, n. 26, 2019. DOI: 10.20396/revpibic2620181318. Disponível em: https://econtents.bc.unicamp.br/eventos/index.php/pibic/article/view/1318. Acesso em: 19 abr. 2024.
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Resumo

Filmes finos de ZnO tem várias aplicações em dispositivos eletrônicos como em diodos, transistores, dispositivos piezoelétricos e células solares. Neste trabalho desenvolvemos este material pela técnica ALD (Atomic Layer Deposition) utilizando um equipamento recém adquirido pelo laboratório de pesquisas fotovoltaicas do IFGW. Esta técnica permite deposições camada-por-camada (layer-by-layer) dos filmes de maneira conformal (o filme se deposita assumindo a forma da superfície do substrato). Investigaremos o efeito da temperatura entre 100 ºC e 300 ºC.

https://doi.org/10.20396/revpibic2620181318
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